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FGA60N60UFDTU_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導體

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原廠料號：FGA60N60UFDTU品牌：onsemi

資料說明：IGBT 600V 120A 298W TO3P

FGA60N60UFDTU是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ONSEMI/安森美半導體生產(chǎn)封裝TO-3P-3，SC-65-3的FGA60N60UFDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    fga60n60ufdtu

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 資料說明：

    IGBT 600V 120A 298W TO3P

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGA60N60UFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，60A

  • 開關(guān)能量：

    1.81mJ（開），810μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    23ns/130ns

  • 測試條件：

    400V，60A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3PN

  • 描述：

    IGBT 600V 120A 298W TO3P

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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TO-3P
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