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FGB30N6S2中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FGB30N6S2
廠商型號

FGB30N6S2
功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
文件大小

177.95 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-17 8:00:00
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FGB30N6S2規(guī)格書詳情

General Description

The FGH30N6S2, FGP30N6S2, and FGB30N6S2 are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.

Features

? 100kHz Operation at 390V, 14A

? 200kHZ Operation at 390V, 9A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°CC

? Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V

? Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

? UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    FGB30N6S2

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 Sgl 600V Ch

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
 詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
7500
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
 詢價
FAIRCHILD
03+
S0T-263
134
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
FAIRCHILD
22+23+
TO263
24055
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
 詢價
Fairchild仙童
22+
TO263AB
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
ON Semiconductor
2022+
TO-263AB
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
Fairchild仙童
22+
TO263AB
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
FAI
23+
65480
詢價
FAIRCHILD
23+
TO-263
53817
##公司主營品牌長期供應100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術
 詢價
FAIRC
23+
TO-263(D2PAK
25000
專業(yè)優(yōu)勢供應
 詢價

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