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FGB5N60UNDF_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 600V 5A NPT IGBT硅原半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào)：

    FGB5N60UNDF

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    29403

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-11 10:16:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：FGB5N60UNDF品牌：ON/安森美

原盒原標(biāo),正品現(xiàn)貨 誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) 價(jià)格美麗 假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    FGB5N60UNDF

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    794.43 kb

  • 資料說(shuō)明：

    600V, 5A Short Circuit Rated IGBT

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FGB5N60UNDF

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V 5A NPT IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳硅原半導(dǎo)體有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李運(yùn)鴻

  • 手機(jī)：

    18823676336/13418911282

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18823676336

  • 地址：

    深圳市龍崗區(qū)坂田街道坂雪崗大道與永香路交匯處創(chuàng)匯國(guó)際中心706

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