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FGD3N60LSDTM 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGD3N60LSDTM參考圖片

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原廠料號：FGD3N60LSDTM品牌：ON

16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤 更多數(shù)量

FGD3N60LSDTM是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的FGD3N60LSDTM晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGD3N60LSDTM

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    8 頁

  • 文件大小：

    872.7 kb

  • 資料說明：

    IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGD3N60LSDTM

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.5V @ 10V，3A

  • 開關(guān)能量：

    250μJ（開），1mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    40ns/600ns

  • 測試條件：

    480V，3A，470 歐姆，10V

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-252AA

  • 描述：

    IGBT 600V 6A 40W DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    司先生

  • 手機：

    18126328660

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82785677

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503

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