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FGH40N65UFDTU-F085分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGH40N65UFDTU-F085
廠商型號

FGH40N65UFDTU-F085
參數(shù)屬性

FGH40N65UFDTU-F085 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
功能描述

IGBT - Field Stop 650 V, 40 A
IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
絲印標識

FGH40N65UFDTU
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

478.2 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-5 23:00:00

FGH40N65UFDTU-F085規(guī)格書詳情

FGH40N65UFDTU-F085屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的FGH40N65UFDTU-F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

Description

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s field

stop IGBTs offer the optimum performance for Automotive Chargers,

Inverter, and other applications where low conduction and switching

losses are essential.

Features

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 40 A

? High Input Impedance

? Fast Switching

? Qualified to Automotive Requirements of AEC?Q101

(FGH40N65UFDTU?F085)

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Applications

? Automotive Chargers, Converters, High Voltage Auxiliaries

? Inverters, PFC, UPS

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    FGH40N65UFDTU-F085

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    1.28mJ（開），500μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    23ns/126ns

  • 測試條件：

    400V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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