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FGH60N60SFDTU分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGH60N60SFDTU
廠商型號

FGH60N60SFDTU

參數(shù)屬性

FGH60N60SFDTU 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

功能描述

Field-Stop IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

355.97 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-24 20:00:00

FGH60N60SFDTU規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.9V@IC=60A

· High Speed Switching

· Low Power Loss

APPLICATIONS

· Solar Converters

· Welding Converters

· PFC

· UPS

產品屬性

  • 產品編號:

    FGH60N60SFDTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,60A

  • 開關能量:

    1.79mJ(開),670μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    22ns/134ns

  • 測試條件:

    400V,60A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 600V 120A TO247

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