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FGH75T65SQDTL4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FGH75T65SQDTL4 |
| 參數(shù)屬性 | FGH75T65SQDTL4 封裝/外殼為TO-247-4；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：650V FS4 TRENCH IGBT |
| 功能描述 | Field Stop Trench IGBT |
| 文件大小 |
848.49 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-28 13:28:00 |
FGH75T65SQDTL4規(guī)格書詳情
FGH75T65SQDTL4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGH75T65SQDTL4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
FGH75T65SQDTL4
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，75A
- 開(kāi)關(guān)能量：
307μJ（開(kāi)），266μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
44ns/276ns
- 測(cè)試條件：
400V，18.8A，15 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-4
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247
- 描述：
650V FS4 TRENCH IGBT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
onsemi/安森美 |
新批次 |
TO-247-4 |
4500 |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD |
22+ |
TO247 |
45000 |
進(jìn)口原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
31692 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
TO247 |
9500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
2322+ |
NA |
33220 |
無(wú)敵價(jià)格 主銷品牌 正規(guī)渠道訂貨 免費(fèi)送樣!!! |
詢價(jià) | |||
24+ |
N/A |
70000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ON |
24+ |
TO-247-4 |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO247 |
150 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) |
