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FGL35N120FTDTU 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

FGL35N120FTDTU參考圖片

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原廠料號：FGL35N120FTDTU品牌：ON Semiconductor

全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷

FGL35N120FTDTU是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON Semiconductor/onsemi生產(chǎn)封裝原廠原包裝/TO-264-3，TO-264AA的FGL35N120FTDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGL35N120FTDTU

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    732.96 kb

  • 資料說明：

    1200V, 35A Trench IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGL35N120FTDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.2V @ 15V，35A

  • 開關(guān)能量：

    2.5mJ（開），1.7mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    34ns/172ns

  • 測試條件：

    600V，35A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應商器件封裝：

    TO-264-3

  • 描述：

    IGBT TRENCH/FS 1200V 70A TO264-3

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機：

    13682380609

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強賽格電子市場69樓6904B-6905A室

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