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FGL40N150

ElectricalCharacteristicsoftheIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses. TheFGL40N150Disdesignedforinductionheatingapplications. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=40A ?Highi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FGL40N150D

ElectricalCharacteristicsoftheIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses. TheFGL40N150Disdesignedforinductionheatingapplications. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.5V@IC=40A ?Highi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

IXHH40N150HV

1500VMOSGatedThyristor

IXYS

IXYS Corporation

SGL40N150

GeneralDescription

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.TheSGL40N150isdesignedforinductionheatingapplications. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V@IC=40A ?Highinputimpedance A

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGL40N150D

GeneralDescription

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.TheSGL40N150Disdesignedforinductionheatingapplications. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V@IC=40A ?Highinputimpedance

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FGL40N150DTU

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 1500V/40A/FRD

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
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FAIRCHILD/仙童
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO-264
10000
公司只做原裝正品
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更多FGL40N150DTU供應(yīng)商 更新時間2025-1-29 16:12:00

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