首頁(yè)>FGL60N100BNTDTU>詳情

FGL60N100BNTDTU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGL60N100BNTDTU參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：FGL60N100BNTDTU品牌：ON/安森美

原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)

FGL60N100BNTDTU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-264-3/TO-264-3，TO-264AA的FGL60N100BNTDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    FGL60N100BNTDTU

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大小：

    394.77 kb

  • 資料說(shuō)明：

    1000 V, 60 A NPT Trench IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGL60N100BNTDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，60A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    140ns/630ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，60A，51 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-264-3，TO-264AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-264-3

  • 描述：

    IGBT 1000V 60A 180W TO264

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機(jī)：

    13430590551

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13430590551

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1078號(hào)現(xiàn)代之窗A座、B座A座9D

相近型號(hào)