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FGL60N170D

ElectricalCharacteristicsofIGBT

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)provideslowconductionandswitchinglosses.FGL60N170DisdesignedfortheInductionHeatingapplications. Features ?HighSpeedSwitching ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=5.0V@IC=60A ?HighInputImpedance

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FGL60N170DAND供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 10:06:00