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FGP10N60UNDF 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

FGP10N60UNDF參考圖片

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原廠料號(hào)：FGP10N60UNDF品牌：ON

原裝正品老板王磊+13925678267

FGP10N60UNDF是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝TO-220-3的FGP10N60UNDF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    FGP10N60UNDF

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    9 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    819.57 kb

  • 資料說(shuō)明：

    600V, 10A Short Circuit Rated IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGP10N60UNDF

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.45V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    150μJ（開(kāi)），50μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    8ns/52.2ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，10A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT NPT 600V 20A TO220-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    阮桂英

  • 手機(jī)：

    13925678267

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83978851

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3039號(hào)國(guó)際文化大廈1905B

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