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FGPF4633TU中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FGPF4633TU
廠商型號(hào)

FGPF4633TU

功能描述

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

文件大小

298.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-22 19:10:00

FGPF4633TU規(guī)格書(shū)詳情

Description

SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.

Features

? 650 V @TJ = 150°C

? Max. RDS(on) = 380 mΩ

? Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)

? Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)

? 100 Avalanche Tested

Applications

? LCD / LED / PDP TV Lighting

? Solar Inverter

? AC-DC Power Supply

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FGPF4633TU

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 330V PDP

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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