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FGPF7N60RUFD分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGPF7N60RUFD
廠商型號

FGPF7N60RUFD
參數(shù)屬性

FGPF7N60RUFD 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 14A 41W TO220F
功能描述

600V, 7A RUF IGBT CO-PAK
封裝外殼

TO-220-3 整包
文件大小

902.05 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-10 19:17:00

FGPF7N60RUFD規(guī)格書詳情

Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses.The device is designed for Motor applications where ruggedness is a required feature.

Features

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.95 V @ IC = 7A

? High input impedance

? CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50 ns (typ.)

? Short Circuit rated

Applications

Motor controls and general purpose inverters.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGPF7N60RUFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，7A

  • 開關能量：

    230μJ（開），100μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    60ns/60ns

  • 測試條件：

    300V，7A，30 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝：

    TO-220F-3

  • 描述：

    IGBT 600V 14A 41W TO220F

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