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FGY100T65SCDT 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：FGY100T65SCDT品牌：onsemi(安森美)

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FGY100T65SCDT是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝TO247/TO-247-3 變式的FGY100T65SCDT晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGY100T65SCDT

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    427.74 kb

  • 資料說明：

    Field Stop Trench IGBT, Short Circuit Rated, 650V, 100A

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGY100T65SCDT

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    5.4mJ（開），3.8mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    84ns/216ns

  • 測試條件：

    400V，100A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    FS3TIGBT TO247 100A 650V

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖冠

  • 手機：

    19076157484

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83062789

  • 傳真：

    0755-82550578

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層

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