FGY100T65SCDT 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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廠家型號：
FGY100T65SCDT
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
onsemi
庫存數(shù)量：
9350
產(chǎn)品封裝：
TO-247-3 變式
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-2-13 16:21:00

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原廠料號：FGY100T65SCDT品牌：onsemi

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FGY100T65SCDT是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商onsemi生產(chǎn)封裝TO-247-3 變式的FGY100T65SCDT晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
FGY100T65SCDT
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
ONSEMI【安森美半導體】詳情
廠商全稱：
ON Semiconductor
中文名稱：
安森美半導體公司
內(nèi)容頁數(shù)：
9 頁
文件大小：
427.74 kb
資料說明：
Field Stop Trench IGBT, Short Circuit Rated, 650V, 100A

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
FGY100T65SCDT
制造商：
onsemi
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，100A
開關能量：
5.4mJ（開），3.8mJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
84ns/216ns
測試條件：
400V，100A，4.7 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3 變式
供應商器件封裝：
TO-247-3
描述：
FS3TIGBT TO247 100A 650V

供應商

企業(yè)：
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
許小姐
手機：
13530520535
詢價：
電話：
0755-83201583/83214703
傳真：
0755-22669259
地址：
福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

FGY100T65SCDT 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

FGY100T65SCDT

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