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FGY120T65SPD-F085 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

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原廠料號：FGY120T65SPD-F085品牌：ON(安森美)

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FGY120T65SPD-F085是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON(安森美)/onsemi生產(chǎn)封裝標準封裝/TO-247-3的FGY120T65SPD-F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGY120T65SPD-F085

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大小：

    481.25 kb

  • 資料說明：

    Field Stop Trench IGBT With Soft Fast Recovery Diode 650 V, 120 A

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGY120T65SPD-F085

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.85V @ 15V，120A

  • 開關能量：

    6.8μJ（開），3.5μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    53ns/102ns

  • 測試條件：

    400V，120A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 650V 240A 882W TO-247

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市賽特興科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機：

    18988777135

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83210599

  • 傳真：

    0755-83210599

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座1201A室

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