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FGY160T65SPD-F085分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGY160T65SPD-F085
廠商型號(hào)

FGY160T65SPD-F085
參數(shù)屬性

FGY160T65SPD-F085 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：650V FS GEN3 TRENCH IGBT
功能描述

IGBT - Field Stop, Trench, Soft Fast Recovery Diode 650 V, 160 A
650V FS GEN3 TRENCH IGBT
絲印標(biāo)識(shí)

FGY160T65SPD
封裝外殼

TP-247-3LD / TO-247-3
文件大小

3.43739 Mbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-4 8:40:00

FGY160T65SPD-F085規(guī)格書詳情

FGY160T65SPD-F085屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGY160T65SPD-F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Benefits

? Very Low Conduction and Switching Losses for a High Efficiency

Operation in Various Applications

? Rugged Transient Reliability

? Outstanding Parallel Operation Performance with Balance Current Sharing

? Low EMI

Features

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? Very Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 160 A

? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C

? Positive Temperature Co?Efficient

? Tight Parameter Distribution

? High Input Impedance

? 100 of the Parts are Dynamically Tested

? Short circuit ruggedness > 6 s @ 25°C

? Copacked with Soft, Fast Recovery Extremefast Diode

? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Applications

? Traction Inverter for HEV/EV

? Auxiliary DC/AC Converter

? Motor Drives

? Other Power?Train Applications Requiring High Power Switch

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGY160T65SPD-F085

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.05V @ 15V，160A

  • 開關(guān)能量：

    12.4mJ（開），5.7mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    53ns/98ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，160A，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    650V FS GEN3 TRENCH IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON(安森美)
22+
NA
8000
原廠原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ON
22+23+
TO-247
8000
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口
 詢價(jià)
ON/安森美
TO-247
21+
5000
中賽美只做原裝沒(méi)有任何中間商差價(jià)
 詢價(jià)
ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品
 詢價(jià)
ON
23+
TO-247
6000
絕對(duì)原裝有掛就有正品現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)
 詢價(jià)
ON Semiconductor
2022+
TO-247
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
ON
23+
TO247
20000
詢價(jià)
ON
24+
TO247
5000
十年沉淀唯有原裝
 詢價(jià)
ON/安森美
6000
詢價(jià)
onsemi/安森美
兩年內(nèi)
NA
137
實(shí)單價(jià)格可談
 詢價(jià)

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