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FH105A-TR-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號：FH105A-TR-E品牌：onsemi

資料說明：RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP

FH105A-TR-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝6-TSSOP，SC-88，SOT-363的FH105A-TR-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    fh105a-tr-e

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明：

    RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FH105A-TR-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.4dB @ 1.5GHz

  • 增益：

    10dB @ 1.5GHz

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    0.95 @ 10mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    30mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-MCP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
8600
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
 詢價
onsemi
24+
6-TSSOP SC-88 SOT-363
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
三年內(nèi)
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23+
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354000
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