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FIR10N60AFG

600VN-ChannelMOSFET

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FIR10N60FG

AdvancedN-ChPowerMOSFET-G

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司

FM10N60

FM10N6010Amps600VoltageN-ChannelPOWERMOSFET

FCIFirst Components International

戈采戈采企業(yè)股份有限公司

FMC10N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFETFeatures

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FMC10N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.79Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FMI10N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FMP10N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FMV10N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

FQA10N60C

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwith

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQA10N60C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.73Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多FHP10N60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 9:31:00

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