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FM630-T

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Features PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. Forsurfacemountedapplications. ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導體美麗微半導體股份有限公司

FPN630

PNPLowSaturationTransistor

PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3.0Acontinuous. SourcedfromProcessPC.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FPN630A

PNPLowSaturationTransistor

PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedforhighcurrentgainandlow saturationvoltagewithcollectorcurrentsupto3.0Acontinuous. SourcedfromProcessPC.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FPT630

MiniatureCeramicSiliconPhototransistors

GeneralDescription TheFPT610andFPT630areminiature phototransistorswithexceptionallystable characteristics.Theyutilizeaceramiccasewith transparentresinencapsulation.Thespectral response,extendingfrom400to1100nm,is compatiblewithdaylight,tungstenandgallium arsen

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQB630

200VN-ChannelMOSFET

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD630

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD630

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD630TF

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=200V,ID=8A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FQD630TM

200VLOGICN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQD630TM

N-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=200V,ID=8A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

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更多FHP630供應商 更新時間2025-2-1 8:10:00

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