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FJL4315RTU中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FJL4315RTU
廠商型號

FJL4315RTU

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor

絲印標識

J4315R

封裝外殼

TO-264

文件大小

238.11 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-17 20:00:00

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FJL4315RTU規(guī)格書詳情

Features

? High Current Capability: IC = 17A.

? High Power Dissipation : 150watts.

? High Frequency : 30MHz.

? High Voltage : VCEO=250V

? Wide S.O.A for reliable operation.

? Excellent Gain Linearity for low THD.

? Complement to 2SA1943/FJL4215.

? Thermal and electrical Spice models are available.

? Same transistor is also available in:

-- TO3P package, 2SC5242/FJA4313 : 130 watts

-- TO220 package, FJP5200 : 80 watts

-- TO220F package, FJPF5200 : 50 watts

Applications

? High-Fidelity Audio Output Amplifier

? General Purpose Power Amplifier

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FJL4315RTU

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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