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FJV4107R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

FJV4107R
廠商型號(hào)

FJV4107R
參數(shù)屬性

FJV4107R 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
功能描述

PNP Epitaxial Silicon Transistor
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

56.57 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-26 22:58:00
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FJV4107R規(guī)格書詳情

Switching Application (Bias Resistor Built In)

? Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit

? Built in bias Resistor (R1=22K?, R2=47K?)

? Complement to FJV3107R

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FJV4107RMTF

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    68 @ 5mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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2016+
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