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FM2G300US60中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FM2G300US60
廠商型號

FM2G300US60

功能描述

Molding Type Module

文件大小

696.7 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-18 9:38:00

FM2G300US60規(guī)格書詳情

General Description

Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. They are designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.

Features

? UL Certified No. E209204

? Short circuit rated 10us @ TC = 100°C, VGE = 15V

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 300A

? High input impedance

? Fast and soft anti-parallel FWD

Application

? AC & DC motor controls

? General purpose inverters

? Robotics

? Servo controls

? UPS

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FM2G300US60

  • 功能描述:

    IGBT 模塊

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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