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FMBL1G200US60

MoldingTypeModule

GeneralDescription Fairchild’sInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)powermodulesprovidelowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.Theyaredesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhereshortci

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FMBH1G200US60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FMBH1G200US60供應商 更新時間2024-12-26 16:30:00

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