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FMG1G150US60L

harris
原廠封裝

HARRIS

Harris Corporation

相關企業(yè)：深圳市鼎盛源芯科技有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FMG1G150US60L

  • 功能描述：

    IGBT 模塊

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
harris
16+
原廠封裝
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專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
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Fairchild
23+
33500
詢價
更多FMG1G150US60L供應商 更新時間2025-2-5 10:06:00

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