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FMMT591ATA	文件：155.59 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPsiliconplanarmediumpowertransistor Features ?BVCEO>-40V ?IC=-1AHighContinuousCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591ATC	文件：342.3 Kbytes Page：7 Pages	40VPNPMEDIUMPOWERHIGHPERFORMANCETRANSISTORINSOT23 Features ?BVCEO>-40V ?IC=-1AHighContinuousCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591CSM	文件：15.69 Kbytes Page：1 Pages	BipolarPNPDeviceinaHermeticallysealedLCC1	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
FMMT591-MY	文件：1.97968 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導體東莞市平晶半導體科技有限公司	PJSEMI
FMMT591Q	文件：574.82 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591Q	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features ?BVCEO>-60V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance ?hFECha	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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FMMT591QTA	文件：470.47 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)hasbeendesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features ?BVCEO>-60V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?RSAT=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance ?hFECha	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591TA	文件：298.08 Kbytes Page：8 Pages	MediumpowerPNPtransistorinSOT23 Features ?BVCEO>-60V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance ?hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp ?ComplementaryNPNType:FMMT491 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT591TA	文件：476.51 Kbytes Page：7 Pages	60VPNPMEDIUMPOWERTRANSISTORINSOT23 Features ?BVCEO>-60V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?Rsat=295mΩforaLowEquivalentOn-Resistance ?hFEcharacterisedupto-2AforHighCurrentGainHoldUp ?ComplementaryNPNType:FMMT491 ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

詳細參數(shù)

型號：
FMMT591ANTA
功能描述：
兩極晶體管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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