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FN1006D5

N-Channel Enhancement MOSFET

Features ?VDS=100V,ID=100A ?RDS(ON)=5.3mΩ@VGS=10V(typ.) ?HighPowerandcurrenthandingcapability ?Leadfreeproductisacquired ?SurfaceMountPackage MainApplications ?BatteryProtection ?LoadSwitch ?PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

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更多FN1006D5供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 14:02:00

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