FNB51060TDS_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 功率驅(qū)動(dòng)器模塊-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):FNB51060TDS品牌:onsemi

資料說(shuō)明:MODULE SPM 600V 10A SPM55

FNB51060TDS是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝20-PowerDIP 模塊(1.043",26.50mm)的FNB51060TDS功率驅(qū)動(dòng)器模塊功率驅(qū)動(dòng)器模塊為電源組件(通常為半橋或單相、兩相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防護(hù)。功率半導(dǎo)體或裸片將焊接或燒結(jié)在基材上,后者可承載功率半導(dǎo)體并在需要時(shí)提供電和熱觸點(diǎn)以及電絕緣。功率模塊提供更高的功率密度,并且在許多情況下更可靠且更易于冷卻。

  • 芯片型號(hào):

    fnb51060tds

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    MODULE SPM 600V 10A SPM55

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FNB51060TDS

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 功率驅(qū)動(dòng)器模塊

  • 包裝:

    管件

  • 類型:

    IGBT

  • 配置:

    3 相

  • 電壓 - 隔離:

    1500Vrms

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    20-PowerDIP 模塊(1.043",26.50mm)

  • 描述:

    MODULE SPM 600V 10A SPM55

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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