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FP100R12KT4_B11中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FP100R12KT4_B11
廠商型號

FP100R12KT4_B11

功能描述

EconoPIM3 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC

文件大小

602.4 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-8 19:56:00

FP100R12KT4_B11規(guī)格書詳情

Electrical Features

? Low Switching Losses

? Tvj op = 150°C

? VCEsat with positive Temperature Coefficient

? Low VCEsat

Mechanical Features

? High Power and Thermal Cycling Capability

? Integrated NTC temperature sensor

? Copper Base Plate

? PressFIT Contact Technology

? Standard Housing

Typical Applications

? Auxiliary Inverters

? Motor Drivers

? Servo Drivers

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FP100R12KT4_B11

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83272972鄒小姐
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