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FP35R12N2T7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FP35R12N2T7
廠商型號(hào)

FP35R12N2T7

參數(shù)屬性

FP35R12N2T7 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:LOW POWER ECONO

功能描述

EconoPIM?2 module with TRENCHSTOP?IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode and NTC
LOW POWER ECONO

封裝外殼

模塊

文件大小

647.12 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-13 20:41:00

FP35R12N2T7規(guī)格書詳情

FP35R12N2T7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FP35R12N2T7晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

Features

? Electrical features

- VCES = 1200 V

- IC nom = 35 A / ICRM = 70 A

- TRENCHSTOPTM IGBT7

- Low VCEsat

- Overload operation up to 175°C

? Mechanical features

- High power and thermal cycling capability

- Integrated NTC temperature sensor

- Copper base plate

- Al2O3 substrate with low thermal resistance

- Solder contact technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FP35R12N2T7B11BPSA2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    EconoPIM? 2

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.6V @ 15V,35A

  • 輸入:

    三相橋式整流器

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    AG-ECONO2B

  • 描述:

    LOW POWER ECONO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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