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FP40R12KE3

EconoPIM2 module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

EconoPIM?2modulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP40R12KE3

EconoPIM2 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP40R12KE3

IGBT-Modules

eupec

eupec GmbH

FP40R12KE3_13

EconoPIM2 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP40R12KE3G

IGBT-Modules

eupec

eupec GmbH

FP40R12KE3G

EconoPIM3 Modul mit Trench

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP40R12KE3BOSA1

包裝:散裝 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 55A 210W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP40R12KE3BPSA1

包裝:托盤 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2C-311

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

FP40R12KE3GBOSA1

包裝:管件 封裝/外殼:模塊 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MOD 1200V 55A 210W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FP40R12KE3

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 40A PIM

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多FP40R12KE3供應商 更新時間2024-12-25 8:12:00