首頁(yè)>FP75R12KT4_B15>詳情

FP75R12KT4_B15_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A萊克訊科技1部

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    FP75R12KT4_B15

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    1250

  • 產(chǎn)品封裝：

    IGBT模塊

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-3-3 14:30:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：FP75R12KT4_B15品牌：INFINEON/英飛凌

IGBT全系列原裝現(xiàn)貨價(jià)優(yōu)

  • 芯片型號(hào)：

    FP75R12KT4_B15

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    668.68 kb

  • 資料說(shuō)明：

    EconoPIM3 Modul mit Trench

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    FP75R12KT4_B15

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市萊克訊科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    劉安(公司現(xiàn)貨，原裝正品)

  • 手機(jī)：

    13434748719

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83263931

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興西路華勻大廈1棟5樓B08

相近型號(hào)