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FSA660	文件：314.56 Kbytes Page：8 Pages	2:1MIPIC-PHY(5.7Gbps)1-DataLaneSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FSA660TMX	文件：314.56 Kbytes Page：8 Pages	2:1MIPIC-PHY(5.7Gbps)1-DataLaneSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FSB660	文件：223.45 Kbytes Page：7 Pages	PNPLowSaturationTransistor PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FSB660	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FSB660A	文件：223.45 Kbytes Page：7 Pages	PNPLowSaturationTransistor PNPLowSaturationTransistor Thesedevicesaredesignedwithhighcurrentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FSB660A	文件：54.84 Kbytes Page：4 Pages	PNPLowSaturationTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FSB660A	文件：279.75 Kbytes Page：7 Pages	PNPLowSaturationTransistor Description Thesedevicesaredesignedwithhigh-currentgainandlowsaturationvoltagewithcollectorcurrentsupto2Acontinuous.	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
FVDT-660W	文件：314.86 Kbytes Page：3 Pages	ThreePhaseDoubleStage	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默	PREMO
FVST-660	文件：179.74 Kbytes Page：1 Pages	ThreePhaseDoubleStage	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普萊默	PREMO
G660	文件：103.98 Kbytes Page：1 Pages	MicroprocessorResetIC	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GSIB660	文件：51.33 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
GSIB660	文件：104.83 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
GSIB660	文件：129.509 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEPHASEGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIERVoltage:50to1000VCurrent:6.0A	GULFSEMIGulf Semiconductor 海灣電子海灣電子（山東）有限公司	GULFSEMI
GSIB660	文件：93.97 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers FEATURES ?ULrecognitionfilenumberE54214 ?Thinsinglein-linepackage ?Glasspassivatedchipjunction ?Highsurgecurrentcapability ?Highcasedielectricstrengthof1500VRMS ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
GSIB660	文件：6.0518 Mbytes Page：70 Pages	COLOURTELEVISION	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
GSIB660N	文件：93.95 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers FEATURES ?ULrecognitionfilenumberE54214 ?Thinsinglein-Iinepackage ?Glasspassivatedchipjunction ?Highsurgecurrentcapability ?Highcasedielectricstrengthof1500VRMS ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
HC660	文件：403.63 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-slimdesignatjust9.6mm	A-DATAA-Data Technology 威剛科技威剛科技股份有限公司	A-DATA
HCD660	文件：66.13 Kbytes Page：1 Pages	OCXOSineOutputHighPerformance	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
HCD660	文件：556.37 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceOCXOwithSineOutputandEuropeanpin-out	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
HCD660/DRFN	文件：66.13 Kbytes Page：1 Pages	OCXOSineOutputHighPerformance	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE

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詳細參數(shù)

型號：
FPN660A_Q
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多FPN660A_Q供應(yīng)商更新時間2024-12-24 16:34:00

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