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FQA65N06中文資料仙童半導體數據手冊PDF規(guī)格書

FQA65N06
廠商型號

FQA65N06
功能描述

60V N-Channel MOSFET
文件大小

652.83 Kbytes
頁面數量

8 頁
生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-4 19:56:00

FQA65N06規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC converters, and high efficiency switching for power management in portable and battery operated products.

Features

? 72A, 60V, RDS(on) = 0.016? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 48 nC)

? Low Crss ( typical 100 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? 175°C maximum junction temperature rating

產品屬性

  • 型號：

    FQA65N06

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH/60V/72A/0.016OHM

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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