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FQD12P10	文件：624.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD12P10	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD12P10	文件：1.01794 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
FQD12P10	文件：2.94782 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-100V ●ID=-9.4A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FQD12P10TM	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD12P10TM	文件：699.93 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=-100V,ID=-13A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FQI12P10	文件：635.79 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP12P10	文件：550.92 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF12P10	文件：631.02 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU12P10	文件：624.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU12P10	文件：672.06 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HY12P10D	文件：906.68 Kbytes Page：9 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 華羿微電華羿微電子股份有限公司	HUAYI
KSM12P10	文件：1.82179 Mbytes Page：7 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD12P10	文件：1.46041 Mbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU12P10	文件：1.46041 Mbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MCU12P10	文件：477.34 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MTM12P10	文件：169.93 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR PowerFieldEffectTransistor P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTM12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM12P10	文件：95.67 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
MTM12P10	文件：261.18 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQB12P10TM
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQB12P10TM	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市宇集芯電子有限公司	FQB12P10TM	FAIRCHIL	24+	TO-263	90000	一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、價(jià)格合理	詢價(jià)
深圳市百諾芯科技有限公司	FQB12P10TM	FAIRCHILD/仙童	23+	D2-PAKTO-263	24190	原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市百域芯科技有限公司	FQB12P10TM	FAIRCHILD/仙童	21+	D2-PAKTO-263	30000	優(yōu)勢(shì)供應(yīng) 實(shí)單必成可13點(diǎn)增值稅	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	FQB12P10TM	FAIRCHILD	21+	TO263	45	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	FQB12P10TM	FAIRCHILD仙童	23+	D2PAK	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	FQB12P10TM	Fairchild/ON	22+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)
深圳市勝彬電子有限公司	FQB12P10TM	FAIRCILD	22+	TO-263	8000	原裝正品支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	FQB12P10TM	FAIRCHILD	05+	TO263	45	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市瑞卓芯科技有限公司	FQB12P10TM	FAIRCHILD/仙童	22+	D2-PAKTO-263	18000	原裝正品	詢價(jià)

更多FQB12P10TM供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-23 10:06:00

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