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FQB19N20LTM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
FQB19N20LTM規(guī)格書詳情
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Features
? 21? A, 200 V, RDS(on) = 140 m? (Max.) @ VGS = 10 V,. ID = 9.7 A
? Low Gate Charge (Typ. 31 nC)
? Low Crss (Typ. 30 pF)
? 100 Avalanche Tested
? RoHS Compliant
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
FQB19N20LTM
- 功能描述：
MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) | |||
FAIRCHILD |
2016+ |
TO-263 |
6528 |
房間原裝進(jìn)口現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
17+ |
TO-263 |
1600 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
Fairchild/ON |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
17+ |
TO-263 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
原裝 |
22+23+ |
TO-263 |
17299 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI |
23+ |
NA |
6000 |
全新、原裝 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO263 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
VB |
TO-263-D2PAK |
68900 |
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價(jià) |
