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FQB4N80TM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQB4N80TM
廠商型號(hào)

FQB4N80TM

功能描述

N-Channel QFET? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓

文件大小

801.37 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-31 23:00:00

FQB4N80TM規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 3.9 A, 800 V, RDS(on) = 3.6 ? (Max.) @VGS = 10 V, ID = 1.95 A

? Low Gate Charge (Typ. 19 nC)

? Low Crss (Typ. 8.6 pF)

? 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQB4N80TM

  • 功能描述:

    MOSFET 800V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
628
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價(jià)
FAIRCHI
2020+
TO-263
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
ONSEMI/安森美
24+
TO263
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
FAI
16+
TO-263
800
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
21+
TO263
6000
全新原裝 現(xiàn)貨 價(jià)優(yōu)
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-263-3
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
2223+
TO-263
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO-263-3
8080
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
21+
TO-263
1384
只做原裝,歡迎來電咨詢
詢價(jià)