首頁(yè)>FQB50N06TM>芯片詳情

FQB50N06TM_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 60V N-Channel QFET匯萊威一部

FQB50N06TM

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    FQB50N06TM

  • 產(chǎn)品分類(lèi):

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    505348

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-263

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型:

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-22 17:06:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):FQB50N06TM品牌:ON/安森美

免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系

  • 芯片型號(hào):

    FQB50N06TM

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng):

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    MOSFET 60V N-Channel QFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào):

    FQB50N06TM

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    朱小姐

  • 手機(jī):

    18126328660

  • 詢(xún)價(jià):
  • 電話:

    0755-82767689

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503