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FQD19N10LTM_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level中聯(lián)芯一部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FQD19N10LTM
- 功能描述:
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機:
13714879722
- 詢價:
- 電話:
13714879722/0755-82725103
- 傳真:
0755-82701983
- 地址:
深圳市 福田區(qū) 振興路 上步管理大廈 501棟402室
相近型號
- FQD19N10C
- FQD19N10
- FQD19N10-NL
- FQD18N2V2TM
- FQD19N10TF
- FQD18N20VS
- FQD19N10TM
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- FQD17P06TF-NL
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