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FQH8N100C_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET 1000V N-Channel高捷芯城一部
- 詳細信息
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產品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FQH8N100C
- 功能描述:
MOSFET 1000V N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市高捷芯城科技有限公司
- 商鋪:
- 聯系人:
肖先生
- 手機:
19076157484
- 詢價:
- 電話:
0755-83061789
- 傳真:
0755-82550578
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華富路1006號航都大廈10層
相近型號
- FQH140N10
- FQI12N60C
- FQFP8N60C
- FQI12N60CTU
- FQE10N20CTU
- FQI12N60TU
- FQD9N25TM-F085
- FQI13N06LTU
- FQD9N25TM-F080
- FQI13N06TU
- FQD9N25TM
- FQI13N50C
- FQD9N25
- FQI13N50CTU
- FQD9N08L
- FQI15P12TU
- FQD9N08
- FQI16N25CTU
- FQD8P10TM-F085
- FQI17N08LTU
- FQD8P10TM
- FQI17N08TU
- FQD8P10TF
- FQI17P10TU
- FQD8P10
- FQI19N20TU
- FQD8N25TF
- FQI1P50TU
- FQD8N25
- FQI27N25TU
- FQI27N25TU-F085
- FQD7P20TM
- FQI2N30TU
- FQD7P20
- FQI2N80TU
- FQD7P06TM
- FQI2N90TU
- FQD7P06
- FQI2P25TU
- FQD7N30TM
- FQI32N12V2TU
- FQI32N20CTU
- FQD7N30
- FQI34P10
- FQD7N20TF
- FQI3N25TU
- FQI3N30TU
- FQI3N80TU
- FQD7N20LTM
- FQI3P20TU