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FQI70N10中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQI70N10
廠商型號

FQI70N10
功能描述

100V N-Channel MOSFET
文件大小

645.4 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-22 23:00:00

FQI70N10規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.

Features

? 57A, 100V, RDS(on) = 0.023? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 85 nC)

? Low Crss ( typical 150 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? 175°C maximum junction temperature rating

產品屬性

  • 型號：

    FQI70N10

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
23+
I2PAK(TO262)
7350
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FAIRCHILD
24+
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I2-PAKTO-262
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22+
I2-PAKTO-262
18000
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