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FQP10N20C中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQP10N20C
廠商型號

FQP10N20C

功能描述

200V N-Channel MOSFET

文件大小

875.37 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-12-22 23:00:00

FQP10N20C規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology.

This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.

Features

? 9.5 A, 200 V, RDS(on)= 360 m?(Max.) @ VGS= 10 V, ID= 4.75 A

? Low Gate Charge (Typ. 20 nC)

? Low Crss (Typ. 40.5 pF)

? 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQP10N20C

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Ch MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
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