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FQP10N60CF	文件：934.68 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQP10N60CF	文件：940.45 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF10N60	文件：1.19884 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF10N60C	文件：1.02071 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF10N60C	文件：835.79 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtomini-mizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperfor-mance,andwithstandhighenergypul	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF10N60C	文件：1.026619 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductor?sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformanc	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQPF10N60C	文件：1.19884 Mbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF10N60C	文件：278.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.73Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQPF10N60CF	文件：940.45 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FSA10N60A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
FTA10N60C	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
FTK10N60DD	文件：373.83 Kbytes Page：7 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK10N60DD	文件：373.83 Kbytes Page：7 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK10N60F	文件：373.83 Kbytes Page：7 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK10N60F	文件：373.83 Kbytes Page：7 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK10N60P	文件：373.83 Kbytes Page：7 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK10N60P	文件：373.83 Kbytes Page：7 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK10N60PD	文件：373.83 Kbytes Page：7 Pages	10Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G10N60A	文件：795.39 Kbytes Page：11 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration FastIGBTinNPT-technology ?75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration combinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highrugg	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
H10N60	文件：211.92 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET(600V,10A)	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 華昕華昕科技有限公司	HSMC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQP10N60C_Q
功能描述：
MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	FQP10N60CF	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FQP10N60CF	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	85000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	FQP10N60CF-VB		24+	N/A	82000	一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
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更多FQP10N60C_Q供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-20 18:01:00

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