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FDH27N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=27A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchm

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDH27N50

27A,500V,0.19Ohm,N-ChannelSMPSPowerMOSFET

Features ?LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandHighReapplieddv/dtRuggedness ?ReducedrDS(ON) ?ReducedMillerCapacitanceandLowInputCapacitance ?ImprovedSwitchingSpeedwithLowEMI ?175°CRatedJunctionTemperature Applications

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SFF27N50M

AvalancheRatedN-channelMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

SFF27N50Z

AvalancheRatedN-channelMOSFET

SSDI

Solid States Devices, Inc

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多FQP27N50供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 16:08:00

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