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FQP3N25	文件：612.32 Kbytes Page：8 Pages	250V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF3N25	文件：641.7 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQPF3N25	文件：278.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU3N25	文件：330.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU3N25	文件：667.25 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
HM3N25I	文件：870.42 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
IRF3N25	文件：506.92 Kbytes Page：3 Pages	POWERMOSFET	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
JCS3N25CT-O-C-N-B	文件：3.19176 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS3N25FT-O-F-N-B	文件：3.19176 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS3N25RT-O-R-N-A	文件：3.19176 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS3N25RT-O-R-N-B	文件：3.19176 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS3N25T	文件：3.19176 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
JCS3N25VT-O-V-N-B	文件：3.19176 Mbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 華微電子吉林華微電子股份有限公司	JSMC
KSMD3N25	文件：1.5824 Mbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3N25	文件：1.5824 Mbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTD3N25E	文件：253.49 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET3AMPERES250VOLTSRDS(on)=1.4OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MTP3N25E	文件：301.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
MTP3N25E	文件：208.49 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET3.0AMPERES250VOLTSRDS(on)=1.4OHM TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
SSFP3N25	文件：201.55 Kbytes Page：2 Pages	StarMOSTPowerMOSFET	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
STD3N25	文件：172.35 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■THROUGH-HOLEIPAK(TO-251)POWER PACKAGEINTUBE(SUFFIX”-1”) ■SURFACE-MOUNTING	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQP3N25
功能描述：
MOSFET 250V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQP3N25	onsemi(安森美)	23+	TO-220	8498	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	FQP3N25	仙童	05+	TO-220	5000	原裝進(jìn)口	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FQP3N25	FAIRCHILD	24+	TO-220	8866		詢價(jià)
深圳市博浩通科技有限公司	FQP3N25	FAIRCHIL	23+	TO-220	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	FQP3N25	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	FQP3N25	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢(shì)渠道供應(yīng),歡迎來(lái)電咨詢	詢價(jià)
深圳市正邁科技有限公司	FQP3N25	FSC/ON	23+	原包裝原封 □□	5900	原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) QQ 1304306553 更多詳細(xì)咨詢庫(kù)存	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FQP3N25	FAIRCHILD	20+	TO-220	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
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更多FQP3N25供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 17:08:00

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