首頁>FQP85N06>芯片詳情

FQP85N06_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 60V N-Channel QFET朱博士電子

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    FQP85N06

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

  • 庫存數(shù)量:

    4000

  • 產(chǎn)品封裝:

    原廠封裝

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    2405+

  • 庫存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間:

    2024-12-22 9:00:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):FQP85N06品牌:ONSEMI

原裝正品,渠道可追溯

  • 芯片型號(hào):

    FQP85N06

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ISC【無錫固電】詳情

  • 廠商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 中文名稱:

    無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    2 頁

  • 文件大?。?/span>

    296.91 kb

  • 資料說明:

    isc N-Channel MOSFET Transistor

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    FQP85N06

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市朱博士電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    鄧玉鳳

  • 手機(jī):

    13265549055

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83267374/83267371/13570885961

  • 傳真:

    0755-83350938

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)群星廣場(chǎng)A座A2019室