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FQU10N20

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=0.36?(Max.)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ.13.5nC) ?LowCrss(Typ.13pF)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU10N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQU10N20

200VN-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU10N20C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQU10N20C

N-ChannelQFETMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU10N20C

N-ChannelQFETMOSFET200V,7.8A,360mOhm

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU10N20C

200VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU10N20CTU

N-ChannelQFETMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQU10N20CTU

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQU10N20L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    FQPF10N20T

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
23+
TO220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
2022
TO220F
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220F
58000
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
 詢價(jià)
FAIRCHILD
19+
TO-220F
71820
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-220
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
FAIRCHILD
2024+
TO-220F
188600
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨 歡迎咨詢
 詢價(jià)
FAIRCHIL
2015+
TO-220F
12500
全新原裝,現(xiàn)貨庫(kù)存長(zhǎng)期供應(yīng)
 詢價(jià)
FAIRCHIL
23+
TO-220F
8600
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
2017+
TO-220F
28562
只做原裝正品假一賠十!
 詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
TO-220F
8866
詢價(jià)
更多FQPF10N20T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 11:01:00

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