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FQPF12N60C中文資料KERSEMI數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQPF12N60C
廠商型號

FQPF12N60C
功能描述

600V N-Channel MOSFET
文件大小

1.07433 Mbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Kersemi Electronic Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

KERSEMI

中文名稱

Kersemi Electronic Co., Ltd.官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-25 16:20:00
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FQPF12N60C規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Corise Semiconductor?s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supply.

Features

? 12A, 600V, RDS(on) = 0.65? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 48 nC)

? Low Crss ( typical 21 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    FQPF12N60C

  • 功能描述：

    MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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