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FQPF18N20V2中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FQPF18N20V2
廠商型號(hào)

FQPF18N20V2
功能描述

200V N-Channel MOSFET
文件大小

793.14 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-2 20:00:00

FQPF18N20V2規(guī)格書(shū)詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as automotive, high efficiency switching for DC/DC converters, and DC motor control.

Features

? 18A, 200V, RDS(on) = 0.14? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 20 nC)

? Low Crss ( typical 25 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    FQPF18N20V2

  • 功能描述：

    MOSFET 200V N-Ch adv QFET V2 Series

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD/仙童
23+
NA/
272
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票
 詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
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58000
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FAIRCHILD/仙童
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